[发明专利]一种高电子迁移率晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510671953.5 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601805A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;陈建国;林信南 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高电子迁移率晶体管器件及其制备方法，该器件包括衬底、依次设置在所述衬底上的外延层、第一绝缘层、第二绝缘层，栅极、源极和漏极，与所述栅极、源极、漏极电连接的栅极引脚、源极引脚和漏极引脚、以及设置在所述第二绝缘层上部，位于所述栅极引脚、源极引脚和漏极引脚之间的间隔的第三绝缘层；其中，所述第三绝缘层由高分子有机材料制成。本发明通过在器件最外层添加一层绝缘层，降低了传统器件表面的粗糙程度，减少了器件表面吸附的杂质和静电，从而降低了器件表面漏电，增大了器件的耐压性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，包括：衬底、依次设置在所述衬底上的外延层、第一绝缘层、第二绝缘层，栅极、源极和漏极，与所述栅极、源极、漏极电连接的栅极引脚、源极引脚和漏极引脚、以及设置在所述第二绝缘层上部，位于所述栅极引脚、源极引脚和漏极引脚之间的间隔的第三绝缘层；其中，所述第三绝缘层由高分子有机材料制成。
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