[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510670150.8 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106571289B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张冬梅;肖莉红;仇圣棻;杨芸;邹陆军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L45/00 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有底部电极；步骤S2：在所述底部电极上沉积阻变材料层并在沉积过程中选用全氟化合物进行原位清洗，以降低所述阻变材料层中氧的含量。通过所述方法可以控制所述阻变材料层中的氧含量以符合所述阻变式存储器(Resistive Random Access Memory，RRAM)的需求，所述方法简单易行，而且能够更好的控制所述阻变材料层中的氧含量，进一步提高阻变式存储器的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：/n步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有底部电极；/n步骤S2：在所述底部电极上沉积阻变材料层并在沉积过程中选用全氟化合物进行原位清洗，以降低所述阻变材料层中氧的含量；/n所述步骤S2包括：/n步骤S21：将所述步骤S1中的元件放入沉积腔室内并通入所述全氟化合物，以对所述沉积腔室和所述元件进行清洗；/n步骤S22：在所述沉积腔室内沉积所述阻变材料层并进行所述原位清洗。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510670150.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
