[发明专利]一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510669901.4 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106571312B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置。所述测量结构包括半导体衬底；若干鳍片(103)，位于所述半导体衬底的上方；栅极阵列(102)，位于所述鳍片上方并且环绕所述鳍片，其中，所述栅极阵列的延伸方向垂直于所述鳍片的延伸方向，栅极阵列至少包括依次设置的第一栅极、第一虚拟栅极、第二栅极、第二虚拟栅极和第三栅极，其中，栅极阵列至少包括两个宽度相同的所述第一栅极，所述第一栅极、所述第二栅极与所述第三栅极之间宽度彼此不同；源漏，位于所述栅极阵列中栅极的两侧；接触孔(101)，位于所述源漏的上方。通过所述测量结构可以分别精确的测量得到接触电阻、源漏外延电阻和沟道电阻，可以进一步提高器件性能和控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 接触 电阻 测量 结构 测量方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件中电阻的测量结构，包括：/n半导体衬底；/n若干鳍片，位于所述半导体衬底的上方；/n栅极阵列，位于所述鳍片上方并且环绕所述鳍片，其中，所述栅极阵列的延伸方向垂直于所述鳍片的延伸方向，所述栅极阵列至少包括依次设置的第一栅极、第一虚拟栅极、第二栅极、第二虚拟栅极和第三栅极，其中，所述栅极阵列至少包括两个宽度相同的所述第一栅极，所述第一栅极、所述第二栅极与所述第三栅极之间宽度彼此不同；以及/n源漏，位于所述栅极阵列中栅极的两侧；/n接触孔，位于所述源漏的上方。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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