[发明专利]场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510667042.5 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601804B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管及其制备方法，场效应晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的锗纳米线；包围在锗纳米线四周的第一III‑V化合物层；依次包围在部分所述第一III‑V化合物层四周的势垒层、栅介质层和栅电极；以及位于所述第一III‑V化合物层上，并分别位于所述栅电极两侧的源区和漏区。本发明，势垒层的禁带宽度大于第一III‑V化合物层的禁带宽度，并且，势垒层和第一III‑V化合物层的能带弯曲不同，使得在第一III‑V化合物层靠近势垒层的界面处形成二维电子气，二维电子气迁移率较高，从而场效应晶体管具有更好的电学性能。此外，场效应晶体管为栅极全包围的器件，提高场效应晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 化合物层 势垒层 二维电子气 电学性能 纳米线 栅电极 衬底 禁带 制备 半导体 包围 栅介质层 界面处 迁移率 全包围 漏区 源区 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有沟槽以及悬空于所述沟槽上方的锗纳米线；形成依次包围在所述锗纳米线四周的第一III-V化合物层和第二III-V化合物层；在所述第二III-V化合物层中形成凹槽，所述凹槽暴露所述第一III-V化合物层；在所述凹槽中依次形成势垒层、栅介质层以及栅电极，所述势垒层的禁带宽度比所述第一III-V化合物层的禁带宽度宽；在所述栅电极两侧的所述第二III-V化合物层上形成侧墙；对所述第二III-V化合物层进行N型离子注入，分别形成源区和漏区。
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