[发明专利]一种单晶硅拉晶工艺在审
| 申请号： | 201510663271.X | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105113003A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 潘清跃;王平 | 申请（专利权）人： | 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213200 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶硅生产工艺技术领域，特别是一种单晶硅拉晶工艺，多晶硅装料准备工作：检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶装入清理过的炉膛中；抽真空：将炉体内抽真空，通入氩气；硅料融化：加热融化硅料，保持加热器，硅料开始熔化，全熔，降温至结晶温度；下种：确定结晶温度，籽晶接触熔体表面，转动，使沾润良好；收颈：按照一定的直径，控制好拉速收颈；放肩：控制好拉速和扩肩速度，等放肩直径接近要求的晶体直径时，提升拉速，晶体进入等径生长阶段；收尾：提高拉晶速度，逐步缩小晶体直径，直到使晶体脱离液面，然后降低温度，拉晶过程结束。采用上述方法后，晶体生长速度好，直径一致性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 工艺 | ||
【主权项】：
一种单晶硅拉晶工艺，其特征在于，包括以下步骤，多晶硅装料准备工作：检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶装入清理过的炉膛中；抽真空：将炉体内抽真空，通入氩气；硅料融化：加热融化硅料，保持加热器，硅料开始熔化，全熔，降温至结晶温度；下种：确定结晶温度，籽晶接触熔体表面，转动，使沾润良好；收颈：按照一定的直径，控制好拉速收颈；放肩：控制好拉速和扩肩速度，等放肩直径接近要求的晶体直径时，提升拉速，晶体进入等径生长阶段；收尾：提高拉晶速度，逐步缩小晶体直径，直到使晶体脱离液面，然后降低温度，拉晶过程结束。
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