[发明专利]珠光体类盘条奥氏体晶粒度的测定方法

摘要

本发明公开了一种珠光体类盘条奥氏体晶粒度的测定方法，1)从珠光体类盘条上截取一小块作为试样，经磨制、机械抛光后，再进行电解抛光；2)取试样的一面为观察区域，通过EBSD系统对试样进行面扫描获得取向成像图；3)设置25°的偏角差，通过EBSD系统的取向分析软件对晶粒尺寸进行统计，得出平均晶粒直径，根据平均晶粒直径对照表1得到试样的奥氏体晶粒度。本发明方法可以规范制样过程参数，得到准确的量化结果，结果重现性好，成功率高；且该方法能够清晰的表现盘条的组织均匀性，又能与传统的奥氏体晶粒度指标相匹配，易于理解。

主权项

1.一种珠光体类盘条奥氏体晶粒度的测定方法，其特征在于：包括如下步骤：1)从珠光体类盘条上截取一块作为试样，经磨制、机械抛光后，再进行电解抛光；其中，电解抛光选用的电解液为体积百分比浓度5％的高氯酸乙醇溶液，电解抛光的参数为：电压24V，电流0.2～0.3A，时间15～30s；试样采用线切割截取，截取位置为盘条横截面半径中垂线1/4～1/2区域，试样尺寸为20mm×10mm×5mm；试样的磨制方式为：采用220#、340#、380#、400#、600#、1400#、1800#金相砂纸逐级打磨；试样的机械抛光方式为：采用粒径为4μm、3μm、1μm的金刚石抛光剂依次对试样进行机械抛光；2)取试样的一面为观察区域，通过EBSD系统对试样进行面扫描获得取向成像图；EBSD系统包括Navo Nano SEM400型场发射扫描电镜，HKL channel 5 EBSD电子背散射衍射仪，以及配套的Channel 5取向分析软件；3)设置偏角差为25°，通过EBSD系统的取向分析软件对晶粒尺寸进行统计，得出平均晶粒直径，根据平均晶粒直径对照表1得到试样的奥氏体晶粒度；表1为其试样组织中角度差大于25°的晶界所围成区域的平均晶粒直径d与其奥氏体晶粒度的对应关系。