[发明专利]制作多晶片图像传感器的方法

摘要

本申请案涉及一种制作多晶片图像传感器的方法。一种制作图像传感器的方法包含：在半导体衬底的成像区中形成像素阵列；及在形成所述像素阵列之后在所述半导体衬底的外围区中形成沟槽。所述外围区在所述成像区的周界上。用绝缘材料填充所述沟槽。在用绝缘材料填充所述沟槽之后形成互连层。将第一晶片接合到第二晶片。所述第一晶片包含所述互连层及所述半导体衬底。薄化所述半导体衬底的背侧以暴露所述绝缘材料。穿过所述绝缘材料形成通孔腔。所述通孔腔向下延伸到所述第二晶片的第二互连层。用导电材料填充所述通孔腔以形成通孔。所述绝缘材料将所述导电材料与所述半导体衬底绝缘。

主权项

1.一种制作图像系统的方法，所述方法包括：在半导体衬底的成像区中形成像素阵列；在形成所述像素阵列之后在所述半导体衬底的外围区中形成沟槽，其中所述外围区在所述成像区的周界上；用绝缘材料填充所述沟槽；在用所述绝缘材料填充所述沟槽之后，形成横跨所述成像区及所述外围区的互连层，其中第一晶片包含所述互连层及所述半导体衬底，且其中在形成所述互连层之前平面化所述绝缘材料；将所述第一晶片接合到第二晶片；薄化所述半导体衬底的背侧以暴露所述绝缘材料；形成穿过所述绝缘材料的通孔腔，其中所述通孔腔向下延伸到所述第二晶片的第二互连层；及用导电材料填充所述通孔腔以形成通孔，其中所述绝缘材料将所述导电材料与所述半导体衬底电绝缘。