[发明专利]一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201510661083.3 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105206663A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;周迁;王宁;魏家行;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层；在所述AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，所述栅氧化层的下表面与本征GaN层的上表面相接触，在栅氧化层的上表面形成有栅极；在AlGaN掺杂层的上表面栅极的一侧形成有源极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的另一侧形成有漏极，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，且源极和漏极通过钝化层和栅极相隔离，其特征在于，在本征GaN层中形成有P型AlGaN掺杂区，所述P型AlGaN掺杂区位于栅极和漏极之间区域的下方。这种结构的优点在于保持器件频率特性和阈值电压基本不变的前提下，显著提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si algan gan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底(1)，在Si基衬底(1)上形成有AlN成核层(2)，在AlN成核层(2)上形成有本征GaN层(3)，在本征GaN层(3)上形成有AlGaN掺杂层(4)；在所述AlGaN掺杂层(4)中形成有栅氧化层(5)，所述栅氧化层(5)的下表面与本征GaN层(3)的上表面相接触，在栅氧化层(5)的上表面形成有栅极(6)；在AlGaN掺杂层(4)的上表面栅极(6)的一侧形成有源极(7)，在AlGaN掺杂层(4)的上表面栅极(6)的另一侧形成有漏极(8)，在栅极(6)、源极(7)和漏极(8)上形成有钝化层(9)，且源极(7)和漏极(8)通过钝化层(9)和栅极(6)相隔离，其特征在于，在本征GaN层(3)中形成有P型AlGaN掺杂区(10)，所述P型AlGaN掺杂区(10)位于栅极(6)和漏极(8)之间区域的下方。
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