[发明专利]倒装LED芯片及其电极的制造方法有效
| 申请号： | 201510659294.3 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105244425B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 柴广跃;罗剑生;刘文 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装LED芯片，其包括多量子阱层、N型半导体、P型半导体和两电极，N型半导体和P型半导体设置于多量子阱层的两侧，两电极分别设置于N型半导体和P型半导体上，电极包括纳米多孔金属层。纳米多孔金属层的设计使得倒装LED芯片采用焊接方式封装时因其自身具有良好的弹性回复力而大大吸收/降低PCB和半导体材料之间的热应力。 1 | ||
| 搜索关键词： | 电极 倒装LED芯片 纳米多孔金属 多量子阱层 半导体材料 弹性回复力 焊接方式 热应力 封装 吸收 制造 | ||
【主权项】：
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片包括多量子阱层、N型半导体、P型半导体和两电极，所述N型半导体和所述P型半导体设置于所述多量子阱层的两侧，两所述电极分别设置于所述N型半导体和所述P型半导体上，所述电极包括纳米多孔金属层，进一步包括欧姆接触层，所述欧姆接触层设置于所述纳米多孔金属层和所述N型/P型半导体之间；所述P型半导体和所述N型半导体组成成分不同决定了二者需要不同材质的所述欧姆接触层；两所述电极包括正电极和负电极，所述正电极设置于所述P型半导体上，所述负电极设置于所述N型半导体上，所述正电极的欧姆接触层为Ni‑Ag层，所述负电极的欧姆接触层为Ti‑Al、Ti‑Al‑Ti‑Au、Ti‑Al‑Ni‑Au、Ti‑A1‑Pt‑Au、Ti‑A1‑Ti‑Pt‑Au、Ti‑Al‑Pd‑Au或Ti‑Al‑Mo‑Au层；所述纳米多孔金属层的厚度为0.5～5微米。
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