[发明专利]在半导体制造中控制晶圆表面上的表面电荷的方法有效
| 申请号： | 201510658912.2 | 申请日： | 2015-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106057621B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 于伟波;庄瑞萍;吕祯祥;古绍延 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括在封闭的放电室中对半导体晶圆实施放电工艺。该方法还包括在放电工艺之后通过使用第一处理模块处理半导体晶圆。在放电工艺期间，基于半导体晶圆的表面的特性来调节施加在半导体晶圆上的带电粒子。本发明的实施例还涉及在半导体制造中控制晶圆表面上的表面电荷的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 控制 表面上 表面 电荷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理至少一个半导体晶圆的方法，包括：将所述半导体晶圆从接口模块中的周围可控的环境移入位于所述周围可控环境的放电室内；封闭所述放电室以产生封闭的放电室；检测所述封闭的放电室中的所述半导体晶圆的表面的至少一种特性；在所述封闭的放电室中的所述半导体晶圆上方释放带电粒子，其中，根据所述半导体晶圆的表面的所述至少一种特性的检测结果来控制所述带电粒子的供应；从所述放电室去除所述半导体晶圆，并且将所述半导体晶圆移入到所述接口模块中的所述周围可控的环境；其中，在所述半导体晶圆移入到所述放电室，并且在所述半导体晶圆从所述放电室移出时，所述放电室与所述周围可控的环境流体连通。
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