[发明专利]在半导体应用上的结晶处理有效
| 申请号： | 201510658228.4 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105206509B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·莫法特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268;H01L29/68;H01L31/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于在基板上形成结晶半导体层的设备与方法。半导体层是通过气相沉积形成的。执行脉冲激光熔融/再结晶工艺以将半导体层转化成结晶层。将激光或其它电磁辐射的脉冲形成为脉冲串并且在处理区的上方均匀分布，并且将连续的邻近处理区暴露给所述脉冲串，以渐进地将沉积材料转化成结晶材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 用上 结晶 处理 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：识别第一处理区；通过将所述第一处理区的表面暴露给第一激光脉冲和第二激光脉冲，形成所述第一处理区的熔融区域，其中所述第一激光脉冲和所述第二激光脉冲具有相同的持续时间和强度；在将所述第一处理区暴露给多个激光脉冲的同时，再结晶所述第一处理区的所述熔融区域，其中所述多个激光脉冲的每一脉冲熔融再结晶的区域的一部分；识别第二处理区，所述第二处理区与所述第一处理区相邻；以及对所述第二处理区重复进行形成熔融区域的步骤和再结晶所述熔融区域的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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