[发明专利]在集成电路中探测光故障注入攻击的结构及其探测方法在审
| 申请号: | 201510657315.8 | 申请日: | 2015-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN105184194A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
| 发明(设计)人: | 赵毅强;何家骥;刘阿强;杨松;李旭 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | G06F21/76 | 分类号: | G06F21/76 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李丽萍 |
| 地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种在集成电路中探测光故障注入攻击的结构,采用反相器结构,反相器由上面的两个并联的PMOS管和下面的一个NMOS管构成。探测时,在芯片上的空余位置处设置多个反相器INV0D2_PRO,反相器INV0D2_PRO的结构如本发明中所设计的在集成电路中探测光故障注入攻击的结构;再将该多个反相器INV0D2_PRO的输出依据总线拓扑结构进行互联,并将多个反相器INV0D2_PRO的输出信号进行整合;将整合后的信号汇总作为预警信号,从而完成对于集成电路中光故障注入攻击的探测。本发明可以在检测到攻击之后,能够及时做出响应,避免芯片中的关键数据被分析、窃取等。 | ||
| 搜索关键词: | 集成电路 探测 故障 注入 攻击 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种在集成电路中探测光故障注入攻击的结构,其特征在于,采用反相器结构,所述反相器由上面的两个并联的PMOS管和下面的一个NMOS管构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510657315.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:扫描仪脏污/清洁窗口自动探测
- 下一篇:一种文件处理方法及装置





