[发明专利]倒装LED芯片的共晶电极结构及倒装LED芯片在审
| 申请号： | 201510655970.X | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105226177A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 何安和;林素慧;郑建森;彭康伟;林潇雄;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/40;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了倒装LED芯片的共晶电极结构及倒装LED芯片，包括：基板；第一半导体层；第二半导体层；局部缺陷区位于部分第二半导体层上，且向下延伸至第一半导体层；第一金属层位于部分第一半导体层上；第二金属层位于部分第二半导体层上；绝缘层，覆盖于第一金属层、第二金属层、第二半导体层以及局部缺陷区的第一半导体层上，绝缘层具有开口结构，分别位于第一金属层和第二金属层上；共晶电极结构，位于具有开口的绝缘层上，在垂直方向从下至上由第一共晶层和第二共晶层组成，在水平方向划分为第一型电极区和第二型电极区。本发明解决习知倒装LED芯片在共晶接合制程中可能发生共晶空洞率过高导致封装不良问题。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 led 芯片 电极 结构 | ||
【主权项】：
倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于：所述共晶电极结构，在垂直方向从下至上由第一共晶层和第二共晶层组成，在水平方向划分为第一型电极区和第二型电极区，第一共晶层的上表面、下表面不平坦，第二共晶层的上表面平坦。
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