[发明专利]钇铁石榴石薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201510653931.6 | 申请日： | 2015-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105331942A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 董显林;连建芸;陈莹;王根水 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及钇铁石榴石薄膜材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：步骤一：清洗Si/SiO2衬底表面；步骤二：通过射频磁控溅射方法在清洗好的衬底表面溅射钇铁石榴石薄膜，其中，靶材为Y3Fe5O12，本底真空低于4.0×10-4Pa，溅射气体为O2、N2和Ar中的至少一种，溅射气压为1.5～3.0Pa，衬底温度为室温～600℃，溅射功率为60～150W；步骤三：对步骤二制得的钇铁石榴石薄膜进行后退火处理。采用本发明的方法制备的薄膜材料具有结构致密不开裂、饱和磁化强度可与陶瓷比拟、介电损耗低、矫顽力低、居里温度远高于室温等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 铁石 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钇铁石榴石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：清洗Si/SiO2衬底表面；步骤二：通过射频磁控溅射方法在清洗好的衬底表面溅射钇铁石榴石薄膜，其中，靶材为Y3Fe5O12，本底真空低于4.0×10‑4Pa，溅射气体为O2、N2和Ar中的至少一种，溅射气压为1.5～3.0Pa，衬底温度为室温～600℃，溅射功率为60～150W； 步骤三：对步骤二制得的钇铁石榴石薄膜进行后退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510653931.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种反应腔室及半导体加工设备
- 下一篇：一种含硅合金靶材及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
