[发明专利]一种具有荷电层的HEMT器件在审
| 申请号： | 201510653829.6 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106558607A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈露露 | 申请（专利权）人： | 陈露露 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 617000 四川省攀*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有荷电层的HEMT器件。该具有荷电层的HEMT器件，包括衬底、位于衬底上层的缓冲层、位于缓冲层上层的势垒层和位于势垒层上层的钝化层，所述缓冲层与势垒层的接触面形成异质结；所述势垒层上表面两端分别设置有源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间势垒层上表面设置有栅电极，所述势垒层中设置有负荷电埋层；所述负荷电埋层的一端位于栅电极正下方，负荷电埋层的另一端位于栅电极与漏电极之间的钝化层的正下方。该具有荷电层的HEMT器件能有效提高器件的击穿电压。适合在半导体技术领域推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 荷电层 hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种具有荷电层的HEMT器件，包括衬底(1)、位于衬底(1)上层的缓冲层(2)、位于缓冲层(2)上层的势垒层(3)和位于势垒层(3)上层的钝化层(4)，所述缓冲层(2)与势垒层(3)的接触面形成异质结；所述势垒层(3)上表面两端分别设置有源电极(5)和漏电极(6)，在源电极(6)和漏电极(7)之间势垒层(3)上表面设置有栅电极(7)；其特征在于，所述势垒层(2)中设置有负荷电埋层(8)；所述负荷电埋层(8)的一端位于栅电极(8)正下方，负荷电埋层(8)的另一端位于栅电极(7)与漏电极(6)之间的钝化层(4)的正下方。
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