[发明专利]一种环形栅半导体功率器件和制备方法有效
| 申请号： | 201510651422.X | 申请日： | 2015-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105185819B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 夏超;张琦 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所华东分所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 215400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种环形栅半导体功率器件和制备方法，包括源极，漏极和环形的N型漂移区，其特征在于，所述N型漂移区连接所述源极和漏极，所述N型漂移区内插入了一层U形场板，所述场板将所述源极、漏极和N型漂移区分隔成上漂移区和下漂移区，所述场板与所述上漂移区和下漂移区之间设置有两层栅氧层，所述场板靠近源极的一端连接栅极；在传统的Trench LDMOS的N型漂移区插入一层N型重掺杂多晶硅，使得器件变成了双沟道双通道器件，在提高器件导通电流的同时增加了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 场板 漏极 源极 半导体功率器件 环形栅 制备 漂移 导通电流 击穿电压 一端连接 传统的 靠近源 双沟道 双通道 栅氧层 分隔 两层 | ||
【主权项】：
1.一种环形栅半导体功率器件，其特征在于，包括源极，漏极和环形的N型漂移区，其特征在于，所述N型漂移区连接所述源极和漏极，所述N型漂移区内插入了一层U形场板，所述场板将所述源极、漏极和N型漂移区分隔成上漂移区和下漂移区，所述场板与所述上漂移区之间设置有一层栅氧层，所述场板与所述下漂移区之间设置有一层栅氧层，所述场板靠近源极的一端连接栅极。
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