[发明专利]具有改进的金属化附着力的半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510647193.4 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105514147A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | A·卡穆斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及具有改进的金属化附着力的半导体结构及其制造方法。本发明公开了一种半导体结构。该半导体结构可以包括衬底、形成于衬底的第一侧上的第一层、以及形成于该第一层之上的第二层。该第二层可以包括多个大体上尖的结构，这些大体上尖的结构贯通第一层并且延伸到衬底中。本发明还公开了一种制造半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 金属化 附着力 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底；第一层，所述第一层形成于所述衬底的第一侧上；以及第二层，所述第二层形成于所述第一层之上；所述第二层包括多个大体上尖的结构，所述多个大体上尖的结构贯通所述第一层并且延伸到所述衬底中。
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