[发明专利]电池保护包及其制备工艺有效
| 申请号： | 201510643913.X | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN106571352B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 牛志强;薛彦迅;胡满升;鲁军;何约瑟;哈姆扎·依玛兹 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚9408*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了小尺寸的电池保护包，以及小尺寸电池保护包的制备工艺。该电池保护包包括一个第一共漏金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、一个第二共漏MOSFET、一个功率控制集成电路（IC）、多个焊锡球、多个导电凸起以及一个封装层。功率控制IC垂直堆栈在第一和第二共漏MOSFET上方。至少将一大部分功率控制IC以及至少将绝大部分的多个焊锡球嵌入在封装层中。制备电池保护包的工艺包括制备功率控制IC；制备共漏MOSFET晶圆；将功率控制IC与共漏MOSFET晶圆集成并且连接引脚分配；制备一个封装层；进行研磨工艺；制备一个金属层；并且分离电池保护包。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 保护 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种电池保护包，其特征在于，包括：一个第一共漏MOSFET，具有第一多个接合焊盘和第二多个接合焊盘；一个第二共漏MOSFET，具有第一多个接合焊盘和第二多个接合焊盘；一个钝化层，形成在所述的第一和第二共漏MOSFET上方，具有开口的钝化层使第一共漏MOSFET的第一和第二多个接合焊盘以及第二共漏MOSFET的第一和第二多个接合焊盘裸露出来；一个金属层，沉积在所述的第一和第二共漏MOSFET的底面上；一个功率控制IC，垂直堆栈在所述的第一和第二共漏MOSFET上方；多个焊锡球，连接到所述的第一共漏MOSFET的第一多个接合焊盘以及第二共漏MOSFET的第一多个接合焊盘上；多个导电凸起；以及一个封装层；其中至少一大部分功率控制IC以及至少绝大部分的多个焊锡球嵌入在封装层中，并且其中所述的功率控制IC通过多个导电凸起，电耦合到第一共漏MOSFET的第二多个接合焊盘以及第二共漏MOSFET的第二多个接合焊盘上；所述的金属层通过银环氧树脂，连接到引线框的芯片焊盘上。
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