[发明专利]发光二极管装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201510639810.6 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105226151A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 陈鼎元;邱文智;余振华 | 申请（专利权）人： | 元芯光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管装置及其形成方法,该装置包括:一基板；一发光二极管结构,形成在该基板上,该发光二极管结构具有一下方发光二极管层、一有源层与一第一上方发光二极管层；以及多个嵌入元件,至少延伸穿过部分该发光二极管结构的该第一上方发光二极管层,所述多个嵌入元件由上方观看是被该发光二极管结构所围绕,所述多个嵌入元件的折射系数不同于该第一上方发光二极管层。本发明可有效提升发光二极管的光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管装置，包括：一基板；一发光二极管结构，形成在该基板上，该发光二极管结构具有一下方发光二极管层、一有源层与一第一上方发光二极管层，其中，所述下方发光二极管层为具有第一导电型的III‑N族化合物，所述第一上方发光二极管层为具有与所述第一导电型相反的第二导电型的III‑N族化合物；以及多个嵌入组件，至少延伸穿过部分该发光二极管结构的该第一上方发光二极管层，所述多个嵌入组件由上方观看是被该发光二极管结构所围绕，所述多个嵌入组件的折射系数不同于该第一上方发光二极管层；其中，所述多个嵌入组件为交错排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元芯光电股份有限公司，未经元芯光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510639810.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
