[发明专利]一种高阻片式薄膜电阻及其制备方法有效
| 申请号： | 201510639063.6 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105154844B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 罗彦军;韩玉成;陈德雁;席毅 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/14 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所53113 | 代理人： | 范严生 |
| 地址： | 550000 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高阻片式薄膜电阻及其制备方法，所述方法包括以下步骤(1)将印刷有阻挡层或掩膜层的基片，安装于双离子溅射镀膜机上，装入高阻CrSi靶材，开启双离子溅射镀膜机；(2)当本底真空度达到5.0×10‑4Pa～2.0×10‑3Pa，开启基片旋转装置，使得基片旋转；(3)通入Ar气体，开启清洗离子源各级电源，开始对基片进行清洗；(4)基片清洗完毕后，基片加热温度设置为150℃～250℃；(5)通入Ar气体、氮气，同时开启溅射离子源各级电源以及辅助离子源各级电源，溅射3min～20min；(6)溅射后的基片在温度为350℃～450℃下烘烤2h～8h；(7)采用薄膜激光调阻机对产品进行调阻，制得所述高阻片式薄膜电阻。本发明具有较低的低温度系数以及很好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高阻片式 薄膜 电阻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高阻片式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将印刷有阻挡层或掩膜层的基片，安装于双离子溅射镀膜机上，装入高阻CrSi靶材，开启双离子溅射镀膜机；(2)当本底真空度达到5.0×10‑4Pa～2.0×10‑3Pa，开启基片旋转装置，使得基片旋转；(3)通入Ar气体，开启清洗离子源各级电源，开始对基片进行清洗；(4)基片清洗完毕后，基片加热温度设置为150℃～250℃；(5)通入Ar气体、氮气，同时开启溅射离子源各级电源以及辅助离子源各级电源，溅射3min～20min；(6)溅射后的基片在温度为350℃～450℃下烘烤2h～8h；(7)采用薄膜激光调阻机对产品进行调阻，制得所述高阻片式薄膜电阻；所述步骤(5)中溅射离子源各级电源的阳极电压为40V～60V，加速电压80V～120V，屏栅电压500V～700V，屏栅电流为50mA～70mA；所述步骤(5)中辅助离子源各级电源的阳极电压为40V～60V，加速电压80V～120V，屏栅电压150V～250V，屏栅电流为25mA～40mA。
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