[发明专利]一种CIGS薄膜太阳能电池窗口层的制备方法在审
| 申请号: | 201510630858.0 | 申请日: | 2015-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN106558628A | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
| 发明(设计)人: | 朱登华;赵联波;王宝玉 | 申请(专利权)人: | 常德汉能薄膜太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 415000 湖南省常德市武陵区德山经济开*** | 国省代码: | 湖南;43 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种CIGS薄膜太阳能电池窗口层的制备方法,步骤1、清洗沉积有硫化镉的CdS缓冲层衬底;步骤2、利用低压化学气相沉积法(LPCVD)依次制备本征氧化锌层和BZO导电窗口层,步骤依次为先将步骤1清洗好的硫化镉缓冲层衬底,传入TCO设备的预热腔体中真空预热;再将预热好的衬底送入TCO设备的反应腔室,分以下两个阶段沉积第一阶段生长i-ZnO层;第二阶段生长BZO导电窗口。本发明制备工艺简单,反应温度低,而且在水汽保护下,不会对电池产生破坏,可在一定程度上形成退火处理,使得电池结构更为紧密;其次,通过连续改变B2H6流量,可形成梯度结构的BZO层,改善光电性能,增加其电池转化效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 cigs 薄膜 太阳能电池 窗口 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种CIGS薄膜太阳能电池,依次包括基底、阻挡层、钼背电极层、钼钠层、CIGS光吸收层、CdS缓冲层、本征氧化锌层和BZO导电窗口层;在BZO导电窗口层上配置表面金属电极层,表面金属电极层由银浆组成,通过丝网印刷技术印刷在电池表面烧结形成,其不透光,成网栅状结构分布在BZO导电窗口层表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常德汉能薄膜太阳能科技有限公司,未经常德汉能薄膜太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510630858.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池及其制造方法
- 下一篇:一种环保型太阳能电池组件及层压方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





