[发明专利]半导体元件及其形成方法有效
| 申请号： | 201510629471.3 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106558620B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 许家福;吴俊元;申旭阳;周志飚;邢庆刚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/532;H01L21/34;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其形成方法。其中，该半导体元件包含一基底、一金属内连线系统以及一氧化半导体结构。该基底具有一第一区域及一第二区域。该金属内连线系统是设置在该基底的第一区域内。该氧化半导体结构是设置在该基底的第二区域内，且位于该氢离子阻挡层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于包含：基底，具有第一区域及第二区域；金属内连线系统，设置在该基底的第一区域内，其中，该金属内连线系统包含：插塞，设置在该基底上的一介电层内；以及氢离子阻挡层，设置在该插塞结构上；以及氧化半导体结构，设置在该基底的第二区域内，且位于该氢离子阻挡层之上，其中该氧化半导体结构包含：氧化半导体层，设置在一第一绝缘层上；二源极/漏极，设置在该氧化半导体层上；以及第一栅极，设置在该源极/漏极之间且位于该氧化半导体层上，其中该第一栅极与该氧化半导体层至少部分重叠。
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