[发明专利]快恢复二极管及快恢复二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201510626217.8 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106558623A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吴海平;曹群;肖秀光;郝瑞红 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/872;H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快恢复二极管，其包括衬底层；位于衬底层上的外延层；位于外延层上的扩散区，扩散区与外延层共同形成PIN结构；位于外延层上且覆盖扩散区的第一金属层，第一金属层与外延层共同形成肖特基接触区；位于衬底层上的第二金属层，第二金属层与外延层位于衬底层相背的两侧。快恢复二极管经过电子辐照处理。上述快恢复二极管中，正向导电时肖特基接触区和PIN结构的结合并联势垒低于仅有PIN结构的势垒，因此，上述快恢复二极管降低了负温度系数，同时，经电子辐照处理过的快恢复二极管能提高正温度系数，使快恢复二极管更快地达到零温度系数。本发明还公开一种快恢复二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管，其特征在于，包括：衬底层；位于该衬底层上的外延层；位于该外延层上的扩散区，该扩散区与该外延层共同形成PIN结构；位于该外延层上且覆盖该扩散区的第一金属层，该第一金属层与该外延层共同形成肖特基接触区；位于该衬底层上的第二金属层，该第二金属层与该外延层位于该衬底层相背的两侧；该快恢复二极管经过电子辐照处理。
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