[发明专利]一种高介电常数界面层的制备方法

摘要

一种高介电常数界面层的制备方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并利用H2SO4和H2O2的混合溶液对硅基衬底进行清洗；步骤S2：采用RCA清洗法对硅基衬底进行清洗；步骤S3：采用HF溶液对硅基衬底进行清洗；步骤S4：采用热氧化法生长SiO2/SiON过渡层；步骤S5：采用SC1化学溶液清洗工艺清洗SiO2/SiON过渡层；步骤S6：在经过SC1化学溶液清洗之SiO2/SiON过渡层上淀积高介电常数栅介质层。通过本发明的制备方法所获得的高介电常数界面层，可以有效降低高介电常数界面层的界面态密度，并且提高随后生长的铪基栅介质层的性质，进而改善器件的性能。

主权项

1.一种高介电常数界面层的制备方法，所述高介电常数界面层位于铪基栅介质层与硅基衬底之间，其特征在于，所述高介电常数界面层的制备方法，包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并利用H2SO4和H2O2的混合溶液对所述硅基衬底进行清洗；执行步骤S2：采用RCA清洗法对所述硅基衬底进行清洗；执行步骤S3：采用HF溶液对所述硅基衬底进行清洗；执行步骤S4：采用热氧化法生长SiO2/SiON过渡层；执行步骤S5：采用SC1(NH4OH/H2O2/H2O)化学溶液清洗工艺清洗所述SiO2/SiON过渡层，以使得所述SiO2/SiON过渡层具有羟基(‑OH)，进一步采用Siconi循环清洗法和化学氧化方式使界面层掺杂氟(F)元素，以改善器件的NBTI效应，所述SiO2/SiON过渡层之羟基(‑OH)与所述铪基栅介质层形成Hf‑Si‑O的混合结构；执行步骤S6：在经过SC1化学溶液清洗之SiO2/SiON过渡层上淀积高介电常数栅介质层。