[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510623515.1 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105185838B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 虞晓江 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括基板、设置于基板上的缓冲层、设置于缓冲层上的多晶硅层以及设置于多晶硅层上的二氧化硅层和纳米晶硅层，其中二氧化硅层和纳米晶硅层位于同一层。通过上述方式，本发明能够简化LTPS显示面板的制造过程并降低LTPS显示面板的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括基板、设置于所述基板上的缓冲层、设置于所述缓冲层上的多晶硅层以及设置于所述多晶硅层上的二氧化硅层和纳米晶硅层，其中所述二氧化硅层和所述纳米晶硅层位于同一层；所述二氧化硅层由形成在缓冲层上的非晶硅层远离所述缓冲层的表面经过热氧化形成，所述二氧化硅层经过蚀刻且仅覆盖所述多晶硅层的部分区域，所述多晶硅层由所述非晶硅层中未被热氧化的部分进行处理转变形成，所述纳米晶硅层形成在所述多晶硅层未被所述二氧化硅层覆盖的区域上。
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