[发明专利]双宽度鳍式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201510621400.9 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106024882B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 柳青 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及双宽度鳍式场效应晶体管。公开了一种双宽度的SOI FinFET，其中应变的鳍的不同部分具有不同的宽度。一种制造这种双宽度的FinFET的方法包括利用湿化学蚀刻工艺对在源极区域和漏极区域中的应变的鳍进行横向凹陷化，从而保持鳍中的高度应变而同时将在源极区域和漏极区域中的鳍的宽度修剪到小于5nm。所得到的FinFET的特征在于在栅极下面的沟道区域中的鳍的较宽部分以及在源极区域和漏极区域中的鳍的较窄部分。较窄的鳍的优势在于在外延的升高的源极区域和漏极区域的生长期间其可以更为容易地被掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 宽度 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管，包括：硅衬底，具有掩埋在其中的氧化物层；升高的外延硅源极区域，位于所述硅衬底上方；升高的外延硅漏极区域，位于所述硅衬底上方；应变的硅鳍，具有：作为第一部分的沟道区域，所述沟道区域在升高的源极区域和漏极区域之间延伸，所述沟道区域具有第一鳍宽度；在所述源极区域中的第二鳍部分，所述第二鳍部分具有第二鳍宽度；以及在所述漏极区域中的第三鳍部分，所述第三鳍部分具有第三鳍宽度；以及金属栅极结构，包裹围绕着所述应变的硅鳍的至少三侧，以控制在所述沟道区域中的电流流动。
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