[发明专利]GaN基LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510617298.5 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105336819A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 琚晶;马后永;游正璋;李起鸣;张宇;徐慧文 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，包括：提供生长衬底，利用原子层沉积技术在生长衬底上形成AlN缓冲层；在AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层及N型GaN层；在N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；在InGaN/GaN多量子阱发光层结构上生长P型电子阻挡层；在P型电子阻挡层上生长P型GaN层。利用原子层沉积技术形成的AlN缓冲层替代传统的低温GaN或AlN缓冲层，原子层沉积技术形成的AlN缓冲层具有良好的晶体质量，使得后续外延生长具有良好的结晶质量，从而外延结构的厚度可以减薄，生长速度也可以加快，进而提高了产能。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供生长衬底，利用原子层沉积技术在所述生长衬底上形成AlN缓冲层；在所述AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层及N型GaN层；在所述N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在所述InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；在所述InGaN/GaN多量子阱发光层结构上生长P型电子阻挡层；在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。
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