[发明专利]一种用于ESD防护的STI二极管有效
| 申请号： | 201510615429.6 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106558622B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于ESD防护的STI二极管，涉及半导体技术领域。包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的具有第一导电类型的阱区；位于所述半导体衬底上的沿第一方向延伸的多个第一鳍片，每个所述第一鳍片内形成有沿所述第一方向延伸并具有第一导电类型的第一掺杂区；位于所述多个第一鳍片之间并沿所述第一方向延伸的若干第二鳍片，每个所述第二鳍片内形成有沿所述第一方向延伸并具有第二导电类型的第二掺杂区；位于所述多个第一鳍片和所述若干第二鳍片之间的所述半导体衬底上的隔离结构。本发明的STI二极管，其提高了器件的面积效率，使得金属硅化物均匀性更好，因而使得ESD器件具有更高的二次击穿电流和较小的导通电阻(Ron)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 esd 防护 sti 二极管 | ||
【主权项】：
一种用于ESD防护的STI二极管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的具有第一导电类型的阱区；位于所述半导体衬底上的沿第一方向延伸的多个第一鳍片，每个所述第一鳍片内形成有沿所述第一方向延伸并具有第一导电类型的第一掺杂区；位于所述多个第一鳍片之间并沿所述第一方向延伸的若干第二鳍片，每个所述第二鳍片内形成有沿所述第一方向延伸并具有第二导电类型的第二掺杂区；位于所述多个第一鳍片和所述若干第二鳍片之间的所述半导体衬底上的浅沟槽隔离结构。
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