[发明专利]一种金属掺杂非晶碳薄膜温度传感元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510604847.5 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105241569B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 汪爱英;郭鹏;柯培玲;张栋;陈仁德;郑贺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 单英 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属掺杂非晶碳薄膜温度传感元件。该温度传感元件由基体、金属掺杂非晶碳薄膜、电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于基体表面，电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面。与现有的温度传感元件相比，该薄膜温度传感元件的TCR值和电阻率可调控，能够同时具有高TCR值与优异机械性能及摩擦学性能，可以实现温度传感元件在恶劣环境中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 掺杂 非晶碳 薄膜 温度 传感 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种兼具高TCR值与高机械特性的温度传感元件，其特征是：由基体、金属掺杂非晶碳薄膜、电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于基体表面，电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面；所述的金属掺杂非晶碳薄膜包含碳的金刚石相sp3和石墨相sp2杂化态以及金属原子和/或金属碳化物，其中金属原子和/或金属碳化物分布在主要由C的sp2共价键和sp3共价键形成的不规则的碳空间网基质结构中；通过调控掺杂金属含量调控TCR值与高机械特性；所述的掺杂金属为W、Cr、Ti、Ni、Ag、Cu、Al中的一种或两种以上的组合。
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