[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201510604545.8 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105304495A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张大成;侯典杰;董文储 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/34;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/44;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/51;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，属于薄膜晶体管技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管性能不佳的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法包括：形成由石墨烯构成的栅极的步骤，形成由氧化石墨烯构成的栅绝缘层的步骤，形成由掺杂的氧化石墨烯或掺杂的石墨烯构成的有源区的步骤，形成由石墨烯构成的源极、漏极的步骤；其中，构成所述源极、漏极、栅极的石墨烯由氧化石墨烯还原形成；构成所述有源区的掺杂的氧化石墨烯或掺杂的石墨烯由氧化石墨烯处理形成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成由石墨烯构成的栅极的步骤，形成由氧化石墨烯构成的栅绝缘层的步骤，形成由掺杂的氧化石墨烯或掺杂的石墨烯构成的有源区的步骤，形成由石墨烯构成的源极、漏极的步骤；其中，构成所述源极、漏极、栅极的石墨烯由氧化石墨烯还原形成；构成所述有源区的掺杂的氧化石墨烯或掺杂的石墨烯由氧化石墨烯处理形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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