[发明专利]纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201510603893.3 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105174268A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;戴家赟;叶林;汪子文;薛忠营;张苗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06;C01B31/04;B82Y30/00;C23C16/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法，制备方法包括：1）提供SGOI衬底，SGOI衬底由下至上依次包括硅衬底、埋氧层及SiGe层；2）刻蚀SiGe层，形成预定尺寸的条状SiGe阵列；3）将步骤2）得到的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO2层包裹的Ge或SiGe纳米线；4）去除包裹在Ge或SiGe纳米线表面的SiO2层，得到Ge或SiGe纳米线阵列；5）在Ge或SiGe纳米线阵列上生长石墨烯。通过本发明的制备方法制得所述纳米线与石墨烯的复合材料，具有高质量、低缺陷、大小可控、均匀且笔直的优点，且石墨烯薄膜也具有高质量、低缺陷的特性；本发明的制备方法工艺简单可控。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 石墨 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线与石墨烯的复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供SGOI衬底，所述SGOI衬底由下至上依次包括硅衬底、埋氧层及SiGe层；2)刻蚀所述SiGe层，形成预定尺寸的条状SiGe阵列；3)将步骤2)得到的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO2层包裹的Ge或SiGe纳米线；4)去除包裹在所述Ge或SiGe纳米线表面的所述SiO2层，得到Ge或SiGe纳米线阵列；5)在所述Ge或SiGe纳米线阵列上生长石墨烯。
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