[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其钝化层的制备方法在审
| 申请号: | 201510602918.8 | 申请日: | 2015-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN105118876A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
| 发明(设计)人: | 吴京锦;赵策洲;赵胤超 | 申请(专利权)人: | 西交利物浦大学 |
| 主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴;姜玲玲 |
| 地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池,包括自下而上依次设置的金属背电极层,缓冲层,碲化镉吸收层,硫化镉窗口层,氧化锌高阻层,以及透明导电电极层,其特征在于,在所述缓冲层和所述碲化镉吸收层之间设有硼掺杂石墨烯钝化层,本发明的优点在于,该硼掺杂石墨烯钝化层具有和碲化镉吸收层接近的功函数,有益于对碲化镉吸收层中产生的空穴的收集和传输,同时还保留了石墨烯优良的电学性能,能够很好地抑制相邻的金属材料被氧化,也可以作为钝化层,阻止不同薄层之间原子或离子的扩散,有效地阻止了缓冲层中的铜扩散,同时有效降低太阳能电池的退化速率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 及其 钝化 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碲化镉薄膜太阳能电池,包括自下而上依次设置的金属背电极层,缓冲层,碲化镉吸收层,硫化镉窗口层,氧化锌高阻层,以及透明导电电极层,其特征在于,在所述缓冲层和所述碲化镉吸收层之间设有硼掺杂石墨烯钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





