[发明专利]集成悬臂开关有效
| 申请号： | 201510599756.7 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106006536B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 柳青;J·H·张 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及集成悬臂开关。一种纳米级机电开关形式的集成晶体管消除了CMOS电流泄露并且提高了开关速度。纳米级机电开关以从衬底的一部分延伸到腔中的半导悬臂为特征。悬臂响应于施加到晶体管栅极的电压而弯曲，因此在栅极下方形成导电沟道。当器件关断时，悬臂回到它的静止位置。这种悬臂的移动将电路断开，在栅极下方恢复不允许电流流动的空洞，因此解决了泄露的问题。纳米机电开关的制作与现有的CMOS晶体管制作流程兼容。通过掺杂悬臂并且使用背偏置和金属悬臂末端，可以进一步改进开关的灵敏度。纳米机电开关的面积可以小至0.1x0.1μm2。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 悬臂 开关 | ||
【主权项】：
1.一种微机电系统装置，包括：硅衬底；分层的堆叠，覆盖所述硅衬底，所述分层的堆叠包括外延半导体层；腔，定位在所述分层的堆叠内；柔性构件，从所述分层的堆叠的所述外延半导体层延伸到所述腔中；以及栅极，覆盖所述柔性构件，所述栅极配置成经由电流控制所述柔性构件的运动。
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