[发明专利]一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法有效
| 申请号： | 201510599025.2 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105129788B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 程新红;郑理;王中健;曹铎;王谦;沈玲燕;张栋梁;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，包括步骤首先，提供一衬底，在所述衬底表面形成石墨烯层；然后将生长有所述石墨烯层的衬底置于ALD腔体中，并将所述ALD腔体温度升至设定值，并通入至少一个循环的去离子水，提高吸附在所述石墨烯层表面的H2O/O2分子对中H2O的浓度，从而使H2O/O2分子对中O2的浓度相对降低，形成N型石墨烯层。本发明的水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，不会破坏石墨烯晶体结构，易于硅基集成，简单高效，且该法制备的N型石墨烯层具有可逆性，在高温退火下可被修复形成P型石墨烯层或本征石墨烯层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ald 诱使 可逆 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)提供一衬底，在所述衬底表面形成石墨烯层；2)将生长有所述石墨烯层的衬底置于ALD腔体中，并将所述ALD腔体温度升至设定值，并通入至少一个循环的去离子水，提高吸附在所述石墨烯层表面的H2O/O2分子对中H2O的浓度，从而使H2O/O2分子对中O2的浓度相对降低，形成N型石墨烯层。
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