[发明专利]一种低结构电感的高电压大容量冲击电压发生器有效
申请号: | 201510595830.8 | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN105137136B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 陈水胜;周平;张业鹏;项晓鸣 | 申请(专利权)人: | 湖北工业大学 |
主分类号: | G01R1/28 | 分类号: | G01R1/28;G01R31/12 |
代理公司: | 武汉帅丞知识产权代理有限公司42220 | 代理人: | 朱必武 |
地址: | 430068 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种低结构电感的高电压大容量冲击电压发生器,包括自下而上依层排列的25级充放电装置,每一级包括相互串联的充电电阻、主电容、点火开关、波尾电阻、主电容和充电电阻,相邻两级之间连接有二个充电开关。充电时,充电开关同时导通、点火开关断开;放电时,充电关同时断开、点火开关导通。发生器的主体空间布置采用逆向螺旋“8”字型错层对称式空间结构,立柱分前后二排,每排分左中右三列对称布置,每一级的二个主电容及二个充电电阻分前后排对称布置在该级平面上,所述波尾电阻及点火开关也是水平布置在该级平面上的前后排之间且位于中列。本发明输出电压波前时间范围宽达1.2µs~2500µs、充电电压7500kV,输出效率大于70%,无调波电容。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 电感 电压 容量 冲击 发生器 | ||
【主权项】:
一种低结构电感的高电压大容量冲击电压发生器,包括:充电变压器、硅堆、限流电阻Ri、常闭式安全接地开关、充电开关,还有自下而上依次层叠分布的至少25级充放电装置,设定最下层充放电装置为第一级,每一级充放电装置额定电压至少300kV,总最高充电电压至少7500kV;每一级充放电装置中,包括相互串联的充电电阻Rd、主电容Cs、点火开关gap、波头电阻Rf、波尾电阻Rt;所述每一级充放电装置中的主电容Cs及充电电阻Rd均有二个,每个主电容Cs的最大充电电压分别为+150kV和‑150kV,所述每一级充放电装置中的点火开关gap有一个;相邻两级充放电装置之间有二个充电开关,所述充电开关的两端连接在相邻两级充放电装置的充电电阻Rd之间;第一级充放电装置中,有波头电阻Rf的一端接在本级的波尾电阻Rt和主电容Cs之间,波头电阻Rf的另一端接在第二级充放电装置的波尾电阻Rt和主电容Cs之间;第一级充放电装置的电源输入端连接有充电变压器和硅堆,所述硅堆采用全波整流电路,两个硅堆的输出端分别串联限流电阻Ri后,再与第一级充放电装置的两个充电电阻Rd连接,所述限流电阻Ri与充电电阻Rd的连接处与地之间,均接有常闭式安全接地开关;充电时,各充电开关同时导通、点火开关gap断开;放电时,各充电关同时断开、点火开关导通;所述低结构电感的高电压大容量冲击电压发生器的主体空间布置是采用前后二排、每一排分左、中、右三列的对称式立柱结构,每一级的二个主电容Cs及二个充电电阻Rd分前后排对称布置在该级平面上,所述波尾电阻Rt及点火开关gap也是水平布置在该级平面上的前后排之间且位于中列,自下至上共25级;其特征在于:所述第一级点火开关gap位于右列前后排之间,第一级点火开关gap两端均并联有主电容Cs和充电电阻Rd,位于中列的波尾电阻Rt串接在二个主电容Cs的另一端;所述第二级点火开关gap位于左列前后排之间,第二级点火开关gap两端均并联有主电容Cs和充电电阻Rd,位于中列的波尾电阻Rt串接在二个主电容Cs的另一端;所述前后排中列垂直方向分布有充电开关A和充电开关B;所述充电开关A的下端接第一级前排充电电阻Rd的电源输入端负极、充电开关A的上端接第二级前排充电电阻Rd的电源输入端;所述充电开关B的下端接第一级后排充电电阻Rd的电源输入端正极、充电开关B的上端接第二级后排充电电阻Rd的电源输入端;所述波头电阻Rf位于中列且跨接在第一级前排主电容Cs与第二级后排主电容Cs之间;自下至上每一奇数级的主电容Cs、充电电阻Rd、波尾电阻Rt和点火开关gap的分布与第一级相同;每一偶数级的主电容Cs、充电电阻Rd、波尾电阻Rt和点火开关gap的分布与第二级相同;所述波头电阻Rf位于中列且跨接在奇数前排主电容Cs与偶数级后排主电容Cs之间;依此类推至第25级,所述第25级前排主电容Cs所跨接的波头电阻Rf的上端接至位于最上部的顶部均压罩上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北工业大学,未经湖北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510595830.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:凹叶厚朴芽诱导培养基的制备方法
- 下一篇:德保苏铁芽诱导培养基的制备方法