[发明专利]一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统

摘要

本发明公开了一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统，本发明属于半导体器件辐射效应研究领域。该模拟系统包括脉冲激光产生与调节系统、测试系统和控制系统。本发明利用聚焦物镜和激光扩束镜调节激光光斑尺寸，通过三轴精密运动平台控制被测半导体器件的位置，既可定位半导体器件灵敏层及敏感区域进而研究其局部效应，也可研究半导体器件整体效应，有效弥补了现有大型地面装置和其它激光模拟系统的不足，降低了试验成本，提高了试验效率，缩短了抗辐射加固设计周期，为研究半导体辐射剂量率效应、有针对性的进行抗辐射加固设计提供有效手段。

主权项

一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统，其特征在于：包括脉冲激光产生与调节系统（22）、测试系统（23）和控制系统（24）；激光产生与调节系统（22），用于产生脉冲激光，并且对激光能量进行调节；测试系统（23），用于将激光形成工作光斑辐照在半导体器件上，并且测量剂量率效应的电信号；控制系统（24），用于控制模拟过程中的能量衰减、敏感位置定位和数据采集；所述激光产生与调节系统（22）包括脉冲激光器（1）、光学基板、双层滚轮组合滤光片（4）、可变衰减器（5）、非偏振分光棱镜（6）；脉冲激光器（1）产生脉冲激光，激光依次经光学基板的反射后，再依次经过双层滚轮组合滤光片（4）、可变衰减器（5）进行能量衰减和调节，然后经过非偏振分光棱镜（6）形成两束能量相等的激光Ⅰ、激光Ⅱ，其中激光Ⅰ进入测试系统（23），激光Ⅱ进入控制系统（24）。