[发明专利]芯片封装基板的制作方法以及芯片封装基板在审
| 申请号: | 201510590563.5 | 申请日: | 2015-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN106548945A | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
| 发明(设计)人: | 黄昱程 | 申请(专利权)人: | 碁鼎科技秦皇岛有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/12;H01L23/49 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 谢志为 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | 一种封装基板制作方法,其包括提供覆铜板,该覆铜板包括基材层及位于基材层相对两侧的第一及第二铜箔层;将该第一铜箔层制作成第一导电线路层,该第一导电线路层包括第一开口;在该第一导电线路层远离该基材层的一侧形成第三铜箔层;将该第二铜箔层制作成第二导电线路层,该第二导电线路层包括第二开口,该第一与第二开口不相互重叠;在该第二导电线路层远离该基材层的一侧形成第四铜箔层;分别将该第三及该第四铜箔层形成第三及第四导电线路层;在该第三与该第四导电线路层远离该基材层的一侧形成防焊层,未被防焊层覆盖的该第三与该第四导电线路层成为焊垫;该第一与该第三导电线路层的厚度之和等于该第二导与该第四导电线路层的厚度之和。 | ||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 制作方法 以及 | ||
【主权项】:
一种芯片封装基板制作方法,其包括:提供覆铜板,该覆铜板包括基材层及位于该基材层相对两侧的第一铜箔层及第二铜箔层;将该第一铜箔层制作形成第一导电线路层,该第一导电线路层包括一第一开口;在该第一导电线路层远离该基材层的一侧形成电阻层;在该电阻层远离该第一导电线路层的表面形成第三铜箔层;将该第二铜箔层制作形成第二导电线路层,该第二导电线路层包括一第二开口;在该第二导电线路层远离该基材层的一侧形成第四铜箔层,得到一个封装基板中间结构;将该第三铜箔层及该第四铜箔层分别制作形成第三导电线路层及第四导电线路层;分别在该第三导电线路层与该第四导电线路层远离该基材层的一侧形成防焊层,未被该防焊层覆盖的该第三导电线路层与该第四导电线路层成为焊垫;其特征在于:该第一开口与该第二开口不相互重叠;该第一导电线路层的厚度不等于该第二导电线路层的厚度;该第一导电线路层、该电阻层与该第三导电线路层的厚度之和等于该第二导电线路层与该第四导电线路层的厚度之和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





