[发明专利]一种混合异构NAND固态硬盘有效
| 申请号： | 201510590107.0 | 申请日： | 2015-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN105278875B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种混合异构NAND固态硬盘，该混合异构NAND固态硬盘由存储逻辑控制器和NAND芯片组构成，其基于SLC闪存擦写周期高于MLC闪存和3D闪存的特点，利用SLC闪存来存储异构固态硬盘上所有NAND芯片的映射表并连接至存储逻辑控制器，从而整体上提高混合异构NAND固态硬盘的耐久寿命、提高了对映射表的读取速度、更新速度和重建速度，一定程度上降低了对映射表的读取和更新损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 固态硬盘 异构 闪存 映射表 存储逻辑控制器 读取 集成电路技术 耐久寿命 擦写 更新 存储 重建 | ||
【主权项】：
1.一种混合异构NAND固态硬盘，其特征在于，包括：存储逻辑控制器；若干NAND存储器芯片组，所述若干NAND存储器芯片组分为N个级别，且第M级NAND存储器芯片组的数据存储访问速度大于第M+1级NAND存储器芯片组的数据存储访问速度，第M级NAND存储器芯片组的数据保持能力和耐写寿命优于第M+1级NAND存储器芯片组的数据保持能力和耐写寿命；地址存储单元，设置于所述若干NAND存储器芯片组中的第一级NAND存储器芯片组中，且与所述存储逻辑控制器连接，所述地址存储单元所在的第一级NAND存储器芯片组与所述存储逻辑控制器集成到SoC系统级控制芯片上；所述第一级NAND存储器芯片组中每个存储单元结构均采用GateLast二维NAND金属栅工艺，并通过所述Gate Last二维NAND金属栅工艺集成于所述SoC系统级控制芯片上；其中，所述地址存储单元中存储有所述若干NAND存储器芯片组中每个所述NAND存储器芯片组所对应的逻辑地址到物理地址的映射表，N、M均为正整数，且0＜M＜N。
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