[发明专利]一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法有效
申请号: | 201510587796.X | 申请日: | 2015-09-16 |
公开(公告)号: | CN105420812B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 王波;彭同华;刘春俊;赵宁;张平;邹宇 | 申请(专利权)人: | 新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B23/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 832000 新疆维吾尔自治区*** | 国省代码: | 新疆;65 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法。该方法主要利用氧化性酸在一定温度下可以与籽晶粘合剂——糖或有机胶等有机物发生化学反应,而碳化硅籽晶不与氧化性酸反应,从而将碳化硅籽晶从籽晶托上剥离,剥离下的籽晶通过水洗、烘干和返抛后可再用于晶体生长。 | ||
搜索关键词: | 一种 籽晶 剥离 碳化硅 方法 | ||
【主权项】:
1.一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法,该方法包括:将粘有碳化硅籽晶的籽晶托置于容器中,并在容器中注入氧化性酸;然后将容器放在加热器上,缓慢将容器升温到一定温度并长时间保持恒温,所述长时间在1~60小时范围内;待氧化性酸与粘合剂完全反应,碳化硅籽晶与籽晶托完全分离后,再将容器的温度降至室温;所述粘合剂为糖或有机胶;最后将与籽晶托完全分离的碳化硅籽晶从容器中取出,并先后用大量自来水和去离子水冲洗、烘干、返抛;获得的籽晶可再次用于碳化硅晶体生长;所述氧化性酸包括浓硫酸和浓硝酸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司,未经新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510587796.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。