[发明专利]一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法有效

专利信息
申请号: 201510587796.X 申请日: 2015-09-16
公开(公告)号: CN105420812B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 王波;彭同华;刘春俊;赵宁;张平;邹宇 申请(专利权)人: 新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 832000 新疆维吾尔自治区*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明公开了一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法。该方法主要利用氧化性酸在一定温度下可以与籽晶粘合剂——糖或有机胶等有机物发生化学反应,而碳化硅籽晶不与氧化性酸反应,从而将碳化硅籽晶从籽晶托上剥离,剥离下的籽晶通过水洗、烘干和返抛后可再用于晶体生长。
搜索关键词: 一种 籽晶 剥离 碳化硅 方法
【主权项】:
1.一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法,该方法包括:将粘有碳化硅籽晶的籽晶托置于容器中,并在容器中注入氧化性酸;然后将容器放在加热器上,缓慢将容器升温到一定温度并长时间保持恒温,所述长时间在1~60小时范围内;待氧化性酸与粘合剂完全反应,碳化硅籽晶与籽晶托完全分离后,再将容器的温度降至室温;所述粘合剂为糖或有机胶;最后将与籽晶托完全分离的碳化硅籽晶从容器中取出,并先后用大量自来水和去离子水冲洗、烘干、返抛;获得的籽晶可再次用于碳化硅晶体生长;所述氧化性酸包括浓硫酸和浓硝酸。
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