[发明专利]倒装芯片发光二极管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510584646.3 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN105609611A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 郭志友;孙慧卿;杨晛;衣新燕;孙杰;黄晶;郭敏 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 邱奕才;汪晓东 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种倒装芯片发光二极管器件，包括正电极、倒装芯片和负电极，所述倒装芯片依次包括产生空穴的p型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生电子的n型层和晶格匹配缓冲及衬底层，所述正电极和负电极为器件的焊接电极，所述正电极和负电极与晶格匹配缓冲及衬底层的朝向相反，所述倒装芯片的主要发光投射到晶格匹配缓冲及衬底层的方向。通过本发明的设计，减小了倒装芯片的尺寸，增加了发光面积，提高了发光二极管器件的响应速率。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 芯片 发光二极管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装芯片发光二极管器件，包括正电极、倒装芯片和负电极，其特征在于，所述倒装芯片依次包括产生空穴的p型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生电子的n型层和晶格匹配缓冲及衬底层，所述正电极和负电极为器件的焊接电极，其朝向与晶格匹配缓冲及衬底层的朝向相反，所述倒装芯片的主要发光投射到晶格匹配缓冲及衬底层的方向。
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