[发明专利]半导体封装结构及形成方法有效
| 申请号： | 201510582231.2 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN105810662B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 洪建州;杨明宗;李东兴;黄伟哲;黄裕华;林子闳 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装结构及形成方法。该半导体封装结构包括：基板、硅通孔内连线结构、第一和第二保护环掺杂区域；其中该基板具有前侧和后侧，而该硅通孔内连线结构形成于该基板中，而该第一和第二保护环掺杂区域也形成于该基板中并且相邻于该硅通孔内连线结构，同时耦接至地。本发明实施例，基板或者硅通孔内连线结构产生的噪音可以经由第一和第二保护环掺杂区域而耦接至地，从而有效地降低噪音。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 内连线结构 硅通孔 半导体封装结构 掺杂区域 耦接 降低噪音 有效地 噪音 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板，具有前侧和后侧；硅通孔内连线结构，形成于该基板中；以及第一保护环掺杂区域和第二保护环掺杂区域，形成于该基板中，其中该第一和第二保护环掺杂区域相邻该硅通孔内连线结构并且均耦接至地；其中，该第一和第二保护环掺杂区域具有不同的导电类型。
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