[发明专利]堆叠的全环栅FinFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201510582191.1 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN105895694B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;刘继文;梁英强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括：第一半导体条、环绕第一半导体条的第一栅极电介质、与第一半导体条重叠的第二半导体条以及环绕第二半导体条的第二栅极电介质。第一栅极电介质接触第二栅极电介质。栅电极具有位于第二半导体条上方的部分以及位于第一和第二半导体条和第一和第二栅极电介质的相对两侧上的额外的部分。本发明的实施例还涉及堆叠的全环栅FinFET及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 全环栅 finfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体条；第一栅极电介质，环绕所述第一半导体条；第二半导体条，与所述第一半导体条重叠；第二栅极电介质，环绕所述第二半导体条，其中，所述第一栅极电介质接触所述第二栅极电介质，每个所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质均包括：氧化硅层，环绕所述第一半导体条和所述第二半导体条中的相应的一个，其中，所述第一栅极电介质的所述氧化硅层接触所述第二栅极电介质的所述氧化硅层；以及高k介电层，包括位于所述氧化硅层的相对侧上且与所述氧化硅层接触的部分；以及栅电极，包括位于所述第二半导体条上方的第一部分以及位于所述第一半导体条和所述第二半导体条与所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质的相对两侧上的部分。
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