[发明专利]通过极性控制实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT

摘要

本发明公开了一种增强型HEMT，包括主要由第一、第二半导体层组成的异质结构和与异质结构连接的源、漏、栅电极；该源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，该栅电极分布于源、漏电极之间；分布于栅电极正下方的第一、第二半导体层的局部区域的组成材料均具有设定极性，使得当在栅电极施加零偏压或者没有施加偏压时，于栅电极正下方的异质结构局部区域内无二维电子气的积累，而当在栅电极电压大于阈值电压时，能够于栅电极正下方的异质结构局部区域内形成二维电子气。本发明还公开一种通过极性控制实现增强型HEMT的方法。本发明具有工艺简单，重复性高，器件性能稳定优良，成本低廉，易于进行大规模生产等优点。

主权项

一种增强型HEMT，包括：主要由作为沟道层的第一半导体层和作为势垒层的第二半导体层组成的异质结构，以及，与所述异质结构连接的源、漏、栅电极；所述源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，所述栅电极分布于源、漏电极之间；其特征在于：分布于栅电极正下方的第一半导体层的局部区域的组成材料及第二半导体层的局部区域的组成材料均具有设定极性，使得当在所述栅电极施加零偏压或者没有施加偏压时，于所述栅电极正下方的异质结构局部区域内无二维电子气的积累，而当在所述栅电极电压大于阈值电压时，能够于所述栅电极正下方的异质结构局部区域内形成二维电子气。