[发明专利]氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法有效
申请号: | 201510575190.4 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN105153943B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 周海;徐晓明;龚凯 | 申请(专利权)人: | 盐城工学院 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 杨海军 |
地址: | 224051 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种氧化镓晶片抗解理抛光液,它由纳米级硅溶胶,纳米级辅助混合磨料,pH值调节剂,表面活性剂,络合剂,消泡剂,杀菌剂,助清洗剂和去离子水制成。本发明通过大量实验优选得到的抛光液,可有效避免氧化镓晶片抛光过程中解理缺陷的产生,可实现氧化镓晶片表面无缺陷、无损伤、超镜面的高速、高效抛光加工的目的,采用本发明抛光液进行化学机械抛光后,氧化镓晶片平整性良好,可获得无缺陷、无损伤的超镜面级光滑表面,抛光材料去除率为60nm/min,表面粗糙度Ra数值可达到0.8nm,取得了优异的技术效果,可克服现有技术的不足。 | ||
搜索关键词: | 氧化 晶片 解理 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化镓晶片抗解理抛光液,其特征在于:它由下列重量百分比的原料制成:纳米级硅溶胶40%~50%,纳米级辅助混合磨料3%~5%,pH值调节剂0.5%~3%,表面活性剂2%~3%,络合剂1%~2%,消泡剂0.01%~0.02%,杀菌剂0.01%~0.02%,助清洗剂0.01%~0.05%,其余的为去离子水;所述的纳米级硅溶胶中二氧化硅颗粒的重量百分含量为40%,二氧化硅颗粒粒径为10~15nm,二氧化硅胶团颗粒粒径≤50nm;所述的纳米级辅助混合磨料为氧化锆和氧化钛的组合物或者为氧化锆、氧化钛和氧化铈的组合物;磨料粒径≤50nm,平均粒径略大于二氧化硅颗粒的粒径;所述的纳米级辅助混合磨料的莫氏硬度为5.5~6.5;所述的pH值调节剂为无机碱pH值调节剂和有机碱pH值调节剂按重量比1:1~5组成,无机碱pH值调节剂为氢氧化钾,有机碱pH值调节剂为乙醇胺,乙二胺,三乙胺或三乙醇胺中的任意一种或多种的混合物;所述的表面活性剂为辛基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯醚、聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯和硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚中的任意一种或多种的混合物;所述的络合剂为乙二胺四乙酸二钠或乙二胺四乙酸四钠;所述的消泡剂为聚二甲基硅氧烷;杀菌剂为异噻唑啉酮;助清洗剂为异丙酮。
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