[发明专利]一种硅片的抛光方法在审
| 申请号： | 201510574048.8 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105252406A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 沈思情;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶硅片的抛光方法，通过改善抛光工艺（如抛光液组分、抛光压力、抛光时间、抛光转速等）来提高抛光质量，尤其是提供了一种在线检测PH值的抛光工艺，能及时检测到抛光液PH值的变化，从而及时添加PH调节剂来精确控制PH值，可以降低硅片抛光过程中硅片表面几何参数变差的程度，提高最终产品的成功率；还可以减少抛光时间，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的抛光方法，采用CMP抛光技术对研磨好的硅片进行抛光，通过改善抛光工艺（如抛光液组分、抛光压力、抛光时间、抛光转速等）来提高抛光质量，尤其是提供了一种在线检测PH值的抛光工艺来精确控制PH值，可以降低硅片抛光过程中硅片表面几何参数变差的程度，提高最终产品的成功率；还可以减少抛光时间，提高生产效率。
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