[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层以及位于所述栅极叠层之间的隔离结构；步骤S2：回蚀刻所述控制栅，以去除部分所述控制栅，以在所述控制栅的上方所述隔离结构之间形成凹槽；步骤S3：沉积金属材料层以填充所述凹槽并覆盖所述隔离结构；步骤S4：执行第一次退火步骤，以在所述控制栅的上方形成自对准硅化物层；步骤S5：蚀刻去除所述隔离结构上方未反应的所述金属材料层，同时去除部分所述自对准硅化物层至与所述隔离结构的顶部平齐。所述方法可以使所述自对准硅化物具有良好的轮廓，进一步提高了半导体器件的性能和良率。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层以及位于所述栅极叠层之间的隔离结构；步骤S2：回蚀刻所述控制栅，以去除部分所述控制栅，以在所述隔离结构之间的所述控制栅的上方形成凹槽；步骤S3：沉积金属材料层以填充所述凹槽并覆盖所述隔离结构；步骤S4：执行第一次退火步骤，以在所述控制栅的上方形成自对准硅化物层；步骤S5：蚀刻去除所述隔离结构上方未反应的所述金属材料层，同时去除部分所述自对准硅化物层至与所述隔离结构的顶部平齐。