[发明专利]一种形成绝缘体上鳍的方法在审
| 申请号： | 201510572093.X | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106531792A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 赵治国;殷华湘;朱慧珑;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 洪余节,党丽 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成绝缘体上鳍的方法，包括提供衬底，所述衬底上形成有鳍；以氧化物部分填充鳍之间的凹槽；在裸露的鳍上形成侧墙；进行氧化；去除侧墙以及鳍顶部的氧化层。本发明提供的方法采用现有半导体工艺，以简单可行的方式在普通衬底上制备出绝缘体上鳍，能有效解决现有技术中鳍与衬底之间的漏电流问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 绝缘体 方法 | ||
【主权项】：
一种形成绝缘体上鳍的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍；以氧化物部分填充鳍之间的凹槽；在裸露的鳍上形成侧墙；进行氧化；去除侧墙以及鳍顶部的氧化层。
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