[发明专利]OLED显示的像素点的器件结构及其驱动和制备方法有效
申请号: | 201510570417.6 | 申请日: | 2015-09-09 |
公开(公告)号: | CN105070742B | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | 宋桂林;夏存军;王正君;杜小菊;常方高 | 申请(专利权)人: | 河南师范大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G09G3/32 |
代理公司: | 南京先科专利代理事务所(普通合伙)32285 | 代理人: | 叶帅东 |
地址: | 453007 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种OLED显示的像素点的器件结构及其驱动和制备方法,器件结构包括第一正向OLED、反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED;所述第一正向OLED依次连接反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED。单像素点的结构实现单像素点独立发红蓝绿三基色光及三基色复合光的设计,相比现在的OLED、LCD显示画面的像素分辨率更高可比拟第一代CRT显示的分辨率、颜色更绚丽更多彩;本发明的OLED显示像素的结构及驱动方法,相比现在AMOLED方式的OLED显示像素结构,驱动TFT结构相对简单,可节约TFT相关的成本;本发明的OLED显示各个像素点的结构都相同的制备工艺,相比AMOLED红蓝绿三基色并列分布的制备工艺简单,可以提高生产过程的良品率等,有效的降低成本。 | ||
搜索关键词: | oled 显示 像素 器件 结构 及其 驱动 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种OLED显示的像素点的器件结构,其特征在于:包括第一正向OLED、反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED;所述第一正向OLED依次连接反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED;所述第一正向OLED与反转OLED共享阴极,反转OLED和第二正向OLED的阳极和空穴注入层由电荷产生层替换;OLED显示的像素点的器件结构从阳极到阴极依次为:阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/透明阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/电荷产生层/空穴传输层/红色发光层/电子传输层/电子注入层/阴极;所述第一正向OLED为正向绿光OLED或正向蓝光OLED或正向红光OLED,所述反转OLED为反转蓝光OLED或反转绿光OLED或反转红光OLED,所述第二正向OLED为正向红光OLED或正向绿光OLED或正向蓝光OLED;通过调整器件结构中三基色OLED的位置及驱动模式来实现显示器的顶发光、底发光、双面发光的发光模式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的