[发明专利]一种基于MEMS技术的低损耗太赫兹倍频器

摘要

本发明公开了一种基于MEMS技术的低损耗太赫兹倍频器，包括上夹具、下夹具和上下夹具之间的薄膜基片，薄膜基片上设置有形成太赫兹信号传输通道的输入波导结构、砷化镓薄膜电路结构、薄膜芯片通道和输出波导结构，砷化镓薄膜电路结构放置于薄膜芯片通道上，薄膜芯片通道的一端连接输入波导结构，薄膜芯片通道的另一端连接输出波导结构；本发明的砷化镓薄膜电路结构紧凑，集成度高，砷化镓薄膜电路结构适合高频率倍频器设计，倍频性能好；本发明具有成本低、便于规模制造和适合高频率倍频器设计的特点：本发明的腔体加工采用MEMS技术，加工精度能保证倍频器的高频性能和一致性，且减少了金属夹具高精度微机械加工的费用。

主权项

一种基于MEMS技术的低损耗太赫兹倍频器，其特征在于：包括上夹具、下夹具和位于上夹具和下夹具之间的薄膜基片，薄膜基片上设置有输入波导结构、砷化镓薄膜电路结构、砷化镓薄膜芯片通道和输出波导结构，砷化镓薄膜电路结构放置于砷化镓薄膜芯片通道上，砷化镓薄膜芯片通道的一端连接输入波导结构，另一端连接输出波导结构，输入波导结构、砷化镓薄膜电路结构、砷化镓薄膜芯片通道和输出波导结构形成的结构即太赫兹信号传输通道。