[发明专利]掩膜版的版图修正方法、掩膜版及其制造方法在审
| 申请号： | 201510567725.3 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106502042A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张士健;郁志芳;刘丽;戴文旗;徐佳明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种掩膜版的版图修正方法、掩膜版及其制造方法。本发明提供的掩膜版的版图修正方法，包括提供前端版图，所述前端版图中存在非零图形密度的第一单元；对所述前端版图进行检查，若所述前端版图中存在图形密度为零的第二单元，则对所述第二单元添加SRAF图形，所述SRAF图形小于的光刻设备的分辨率。与现有技术相比，添加SRAF图形后，能够使得各个单元的图形密度变得接近。那么由此进一步获得的掩膜版，能够使得光罩整体的图形密度变得均匀，提高了光罩的合格率，基本上避免了报废。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 版图 修正 方法 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种掩膜版的版图修正方法，包括：提供前端版图，所述前端版图中存在非零图形密度的第一单元；对所述前端版图进行检查，若所述前端版图中存在图形密度为零的第二单元，则对所述第二单元添加SRAF图形，所述SRAF图形小于的光刻设备的分辨率。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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